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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:X2-DFN1006-3
封装/外壳:3-XFDFN
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:3.3pF @ 5V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400 μA @ 30 V
反向恢复时间 (trr):2 ns
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 100 mA
电流 - 平均整流 (Io):200mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V
技术:肖特基
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Diodes Incorporated
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