SD1275-01

厂家:
  Advanced Semiconductor, Inc.
封装:
 M113
数量:
 4527  
说明:
 射频双极电源晶体管 RF Transistor
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SD1275-01 PDF参数资料

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中文参数如下:

晶体管极性:NPN
安装风格:Screw
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
包装形式:Tray
封装形式:M113
功率耗散:70 W
集电极连续电流:8 A
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V
最大工作频率:160 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:20
配置:Single Dual Emitter
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

以上是SD1275-01的详细信息,包括SD1275-01厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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