SBCW30LT1G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 SOT-23-3(TO-236)
数量:
 7191  
说明:
 两极晶体管 - BJT SILICON TRANSISTOR PLAST
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SBCW30LT1G PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:300 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):215 @ 2mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500μA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
晶体管类型:PNP
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR)
品牌:onsemi

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