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SBC856BWT1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 SC-70-3（SOT323）
数量：
 30476  
说明：
 两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 65V
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SBC856BWT1G-SC-70-3（SOT323）图片

SBC856BWT1G PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：SC-70，SOT-323
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：100MHz
功率 - 最大值：150 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：220 @ 2mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA
晶体管类型：PNP
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：onsemi

以上是SBC856BWT1G的详细信息，包括SBC856BWT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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