SBC856BWT1G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 SC-70-3(SOT323)
数量:
 30476  
说明:
 两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 65V
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SBC856BWT1G PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:SC-70,SOT-323
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁:100MHz
功率 - 最大值:150 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):65 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
晶体管类型:PNP
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌:onsemi

以上是SBC856BWT1G的详细信息,包括SBC856BWT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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