S3MHE3_A/H

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 DO-214AB(SMC)
数量:
 5544  
说明:
 DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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S3MHE3_A/H PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:DO-214AB(SMC)
封装/外壳:DO-214AB,SMC
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:60pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 μA @ 1000 V
反向恢复时间 (trr):2.5 μs
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 2.5 A
电流 - 平均整流 (Io):3A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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