点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
功率耗散:1 W
栅极电荷 Qg:6.2 nC
包装形式:Reel
封装形式:TSMT3
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):48 mOhms
漏极连续电流:3 A
汲极/源极击穿电压:45 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RTR030N05TL的详细信息,包括RTR030N05TL厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!