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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：38 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：1 W
包装形式：Reel
封装形式：TUMT-3
安装风格：SMD/SMT
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
漏极连续电流：+/- 2 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
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