
点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:30 ns
工厂包装数量:8000
上升时间:5 ns
功率耗散:0.15 W
下降时间:5 ns
包装形式:Reel
封装形式:VMT-3
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.6 Ohms
漏极连续电流:0.2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是RSM002P03T2L的详细信息,包括RSM002P03T2L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!