RRS100P03TB1

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 1827  
说明:
 MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
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RRS100P03TB1-8-SOIC(0.154

RRS100P03TB1 PDF参数资料

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中文参数如下:

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

以上是RRS100P03TB1的详细信息,包括RRS100P03TB1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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