RRS100P03TB1

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 1827
说明：: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

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RRS100P03TB1 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：-
安装类型：表面贴装

以上是RRS100P03TB1的详细信息，包括RRS100P03TB1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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