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中文参数如下:
功率耗散:1 W
栅极电荷 Qg:5.2 nC
包装形式:Reel
封装形式:TUMT6
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):55 mOhms
漏极连续电流:- 2.5 A
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
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