RR2LAM6STR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: PMDTM
数量：: 1701
说明：: DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM

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RR2LAM6STR PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：PMDTM
封装/外壳：SOD-128
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 μA @ 600 V
反向恢复时间 (trr)：-
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 2 A
电流 - 平均整流 (Io)：2A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技术：标准
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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