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中文参数如下:
波长:800 nm
槽宽:1.2 mm
感应方式:Transmissive, Slotted
上升时间:10 us
功率耗散:80 mW
包装形式:Bulk
输出设备:Phototransistor
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 25 C
最大工作温度:+ 85 C
最大集电极电流:30 mA
下降时间:10 us
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
RoHS:是
制造商:ROHM Semiconductor
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