RN2119MFV,L3F

厂家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装:
 VESM
数量:
 10893  
说明:
 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
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RN2119MFV,L3F PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:VESM
封装/外壳:SOT-723
安装类型:表面贴装型
功率 - 最大值:150 mW
频率 - 跃迁:-
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500μA,5mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
电阻器 - 发射极 (R2):-
电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms
电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
晶体管类型:PNP - 预偏压
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN2119MFV,L3F的详细信息,包括RN2119MFV,L3F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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