RN2112ACT(TPL3)

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: CST3
数量：: 12979
说明：: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

一、本商品被浏览0次.

RN2112ACT(TPL3) PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：CST3
封装/外壳：SC-101，SOT-883
安装类型：表面贴装型
功率 - 最大值：100 mW
频率 - 跃迁：-
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：150mV @ 250μA，5mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
电阻器 - 发射极 (R2)：-
电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms
电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 mA
晶体管类型：PNP - 预偏压
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN2112ACT(TPL3)的详细信息，包括RN2112ACT(TPL3)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：