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RN2106MFV,L3XHF(CT

厂家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装：
 VESM
数量：
 10547  
说明：
 AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER
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RN2106MFV,L3XHF(CT PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：VESM
封装/外壳：SOT-723
安装类型：表面贴装型
功率 - 最大值：150 mW
频率 - 跃迁：250 MHz
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms
电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA
晶体管类型：PNP - 预偏压
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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