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RN1313,LF

厂家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装：
 USM
数量：
 4446  
说明：
 PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
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RN1313,LF PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：USM
封装/外壳：SC-70，SOT-323
安装类型：表面贴装型
功率 - 最大值：100 mW
频率 - 跃迁：250 MHz
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
电阻器 - 发射极 (R2)：-
电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms
电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA
晶体管类型：NPN - 预偏压
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1313,LF的详细信息，包括RN1313,LF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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