RN1313,LF

厂家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装:
 USM
数量:
 4446  
说明:
 PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
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RN1313,LF PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:USM
封装/外壳:SC-70,SOT-323
安装类型:表面贴装型
功率 - 最大值:100 mW
频率 - 跃迁:250 MHz
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
电阻器 - 发射极 (R2):-
电阻器 - 基极 (R1):47 kOhms
电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
晶体管类型:NPN - 预偏压
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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