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中文参数如下:
工厂包装数量:8000
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
包装形式:Reel
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:150 mW
集电极连续电流:100 mA
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
直流集电极/Base Gain hfe Min:700
封装形式:VESM-3
安装风格:SMD/SMT
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:过渡期间
产品种类:开关晶体管 - 偏压电阻器
制造商:Toshiba
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