RN1107MFV,L3F(CT

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: VESM
数量：: 3555
说明：: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

一、本商品被浏览0次.

RN1107MFV,L3F(CT PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：VESM
封装/外壳：SOT-723
安装类型：表面贴装型
功率 - 最大值：150 mW
频率 - 跃迁：-
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms
电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA
晶体管类型：NPN - 预偏压
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1107MFV,L3F(CT的详细信息，包括RN1107MFV,L3F(CT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：