RJS6004WDPK-00#T0

厂家：: Renesas Electronics America Inc
封装：: TO-3P
数量：: 6966
说明：: DIODE GEN PURP 600V 20A

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中文参数如下：
封装：TO-3P
封装/外壳：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 μA @ 600 V
反向恢复时间 (trr)：15 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A（DC）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技术：肖特基
二极管配置：1 对共阴极
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：Renesas Electronics America Inc

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