RJP65T54DPM-A0#T2

厂家：: Renesas Electronics America Inc
封装：: TO-3PFP
数量：: 774
说明：: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP

一、本商品被浏览0次.

RJP65T54DPM-A0#T2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：SC-94
安装类型：通孔
工作温度：175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：35ns/120ns
栅极电荷：72 nC
输入类型：标准
开关能量：330μJ（开），760μJ（关）
功率 - 最大值：63.5 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.68V @ 15V，30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：-
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Renesas Electronics America Inc

以上是RJP65T54DPM-A0#T2的详细信息，包括RJP65T54DPM-A0#T2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：