RJP6085DPK-00#T0

厂家：: Renesas Electronics America Inc
封装：: TO-3P
数量：: 8960
说明：: IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

一、本商品被浏览0次.

RJP6085DPK-00#T0 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：-
25°C 时 Td（开/关）值：-
栅极电荷：-
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：178.5 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：3.5V @ 15V，40A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：-
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
IGBT 类型：-
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：Renesas Electronics America Inc

以上是RJP6085DPK-00#T0的详细信息，包括RJP6085DPK-00#T0厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：