RGWSX2TS65DGC13

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-247G
数量：: 549
说明：: IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G

一、本商品被浏览0次.

RGWSX2TS65DGC13 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：88 ns
测试条件：400V，60A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：55ns/180ns
栅极电荷：140 nC
输入类型：标准
开关能量：1.43mJ（开），1.2mJ（关）
功率 - 最大值：288 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，60A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：180 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：104 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGWSX2TS65DGC13的详细信息，包括RGWSX2TS65DGC13厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：