RGW00TS65EHRC11

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-247N
数量：: 612
说明：: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

一、本商品被浏览0次.

RGW00TS65EHRC11 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：90 ns
测试条件：400V，25A，10欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：50ns/183ns
栅极电荷：141 nC
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：254 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，50A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：96 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RGW00TS65EHRC11的详细信息，包括RGW00TS65EHRC11厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：