RGTV00TK65DGC11

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 TO-3PFM
数量:
 297  
说明:
 IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
安装类型:通孔
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):102 ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns
栅极电荷:104 nC
输入类型:标准
开关能量:1.17mJ(开),940μJ(关)
功率 - 最大值:94 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

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