RGSX5TS65DHRC11

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 TO-247N
数量:
 648  
说明:
 IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N
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RGSX5TS65DHRC11 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):114 ns
测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:43ns/113ns
栅极电荷:79 nC
输入类型:标准
开关能量:3.32mJ(开),1.9mJ(关)
功率 - 最大值:404 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,75A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):114 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:不适用于新设计
包装:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

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