RFUH20NS6STL

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 LPDS
数量:
 1800  
说明:
 DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS
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RFUH20NS6STL PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:LPDS
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 μA @ 600 V
反向恢复时间 (trr):35 ns
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.8 V @ 20 A
电流 - 平均整流 (Io):20A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Rohm Semiconductor

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