RDD020N60TL

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 6507
说明：: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

一、本商品被浏览0次.

RDD020N60TL-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

RDD020N60TL PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：20W
安装类型：表面贴装

以上是RDD020N60TL的详细信息，包括RDD020N60TL厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：