中文参数如下:
波长:940 nm
槽宽:8 mm
感应方式:Transmissive, Slotted
上升时间:4 us
功率耗散:150 mW
包装形式:Tube
输出设备:Phototransistor
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 100 C
最大集电极电流:20 mA
正向电流:50 mA
下降时间:4 us
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
光圈宽度:0.5 mm
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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