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QST8TR

厂家：
  ROHM Semiconductor
封装：
 TSMT-6
数量：
 2286  
说明：
 两极晶体管 - BJT BIPOLAR PNP Vce -12v -1.5A
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QST8TR PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最大功率耗散：1250 mW
直流电流增益 hFE 最大值：270 at 200 mA at 2 V
集电极连续电流：- 1.5 A
封装形式：TSMT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：270 at 200 mA at 2 V
增益带宽产品fT：400 MHz
最大直流电集电极电流：1.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V
集电极—基极电压 VCBO：- 12 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ROHM Semiconductor

以上是QST8TR的详细信息，包括QST8TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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