QSD123_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: T-1 3/4
数量：: 4698
说明：: 光电晶体管 4mA PHOTO TRANS

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QSD123_Q PDF参数资料

中文参数如下：

类型：IR Chip
上升时间：7 us
包装形式：Bulk
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 100 C
下降时间：7 us
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
封装形式：T-1 3/4
最大暗电流：100 nA
最大功率耗散：100 mW
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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