点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
典型关闭延迟时间：21 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：10 ns
功率耗散：0.9 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSMT-5
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.11 Ohms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是QS5U12TR的详细信息，包括QS5U12TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
