中文参数如下:
波长:940 nm
感应方式:Reflective
感应距离:3.81 mm
上升时间:8 us
反向电压:5 V
包装形式:Bulk
输出设备:Phototransistor
安装风格:Wire
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
最大集电极电流:20 mA
正向电压:1.7 V
下降时间:8 us
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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