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PT5529B/L1/H3

厂家：
  Everlight
封装：
 
数量：
 8721  
说明：
 光电晶体管 Dual Phototransistor
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PT5529B/L1/H3-图片

PT5529B/L1/H3 PDF参数资料

中文参数如下：

类型：Chip
工厂包装数量：500
上升时间：15 us
包装形式：Bulk
最小工作温度：- 25 C
最大工作温度：+ 85 C
下降时间：15 us
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
最大暗电流：100 nA
最大功率耗散：100 mW
RoHS：是
产品种类：光电晶体管
制造商：Everlight

以上是PT5529B/L1/H3的详细信息，包括PT5529B/L1/H3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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