PN5179_D26Z

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92-3
数量：: 7560
说明：: 射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor

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PN5179_D26Z PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
增益带宽产品fT：2000 MHz
直流电流增益 hFE 最大值：25 at 3 mA at 1 V
包装形式：Reel
封装形式：TO-92-3 Kinked Lead
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：25
功率耗散：350 mW
集电极连续电流：50 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V
最大工作频率：2000 MHz
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频双极小信号晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

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