PN3563_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 6777
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor

一、本商品被浏览0次.

PN3563_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Bulk
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20 at 8 mA at 10 V
增益带宽产品fT：1.5 GHz
最大直流电集电极电流：0.05 A
发射极 - 基极电压 VEBO：2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V
集电极—基极电压 VCBO：30 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是PN3563_Q的详细信息，包括PN3563_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：