PMST5550 T/R

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-323
数量：: 1125
说明：: 两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7

一、本商品被浏览0次.

PMST5550 T/R PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：PMST5550,115
工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：200 mW
集电极连续电流：0.3 A
封装形式：SOT-323
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT：300 MHz
集电极—射极饱和电压：6 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：140 V
集电极—基极电压 VCBO：160 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：NXP

以上是PMST5550 T/R的详细信息，包括PMST5550 T/R厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：