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PMBT5550 T/R

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 SOT-23
数量：
 5634  
说明：
 两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7
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PMBT5550 T/R PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PMBT5550,215
工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：250 mW
集电极连续电流：0.3 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT：300 MHz
集电极—射极饱和电压：6 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：140 V
集电极—基极电压 VCBO：160 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：NXP

以上是PMBT5550 T/R的详细信息，包括PMBT5550 T/R厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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