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中文参数如下:
封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
安装类型:表面贴装型
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
电压 - 供电:1.425V ~ 3.6V
频率 - 最大值:200 MHz
输出:LVCMOS
输入:LVCMOS
差分 - 输入:输出:无/无
比率 - 输入:输出:1:04
电路数:1
类型:时钟缓冲器
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Diodes Incorporated
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