PHB38N02LT,118

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 4248  
说明:
 MOSFET TAPE13 MOSFET
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PHB38N02LT,118 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:30 ns
工厂包装数量:800
上升时间:12.5 ns
功率耗散:57.6 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:23 ns
包装形式:Reel - 13 in
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.016 Ohms
漏极连续电流:44.7 A
闸/源击穿电压:12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:NXP

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