PESD12VV1BL,315

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: DFN1006-2
数量：: 27728
说明：: TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD Protection Diode Very Low Capacitance

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PESD12VV1BL,315 PDF参数资料

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中文参数如下：

端接类型：SMD/SMT
峰值脉冲功率耗散：290 W
包装形式：Reel
安装风格：SMD/SMT
尺寸：0.5 mm W x 1.02 mm L
通道：1 Channel
电容：17 pF
最大工作温度：+ 150 C
最小工作温度：- 55 C
封装形式：SOD-882
系列：PESD12VV1BL
钳位电压：22 V
击穿电压：14.6 v to 16.8 V
极性：Bidirectional
RoHS：是
制造商：NXP

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