PDTA123ES,126

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-92-3
数量：: 6750
说明：: TRANS PNP W/RES 50V TO-92

一、本商品被浏览0次.

PDTA123ES,126 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）2.2K
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）2.2K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 20mA, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）150mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）1µA
频率 - 转换-
功率 - 最大500mW
安装类型通孔

以上是PDTA123ES,126的详细信息，包括PDTA123ES,126厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：