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中文参数如下:
工厂包装数量:1000
功率耗散:150 mW
光电流:5.4 uA
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 25 C
最大工作温度:+ 85 C
暗电流:10 nA
封装形式:Side Looker
半强度角度:45 deg
下降时间:200 ns
上升时间:200 ns
峰值波长:960 nm
最大暗电流:10 nA
反向电压:32 V
产品:Photodiodes
制造商:Sharp Microelectronics
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