PCDB0465G1_R2_00001

厂家：: Panjit International Inc.
封装：: TO-263
数量：: 2610
说明：: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO263

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TO-263
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：146pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：40 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 4 A
电流 - 平均整流 (Io)：4A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Panjit International Inc.

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