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中文参数如下：
输出类型：DC
输出设备：NPN Phototransistor
每芯片的通道数量：1 Channel
最大上升时间：18 us
最大反向二极管电压：6 V
最大输入二极管电流：50 mA
最大下降时间：18 us
包装形式：Reel
封装形式：PDIP-4 Gull Wing
最小工作温度：- 30 C
最大工作温度：+ 100 C
最大功率耗散：200 mW
最大集电极电流：50 mA
最大正向二极管电压：1.4 V
电流传递比：600 %
绝缘电压：5000 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压：0.2 V
最大集电极/发射极电压：80 V
输入类型：DC
制造商：Sharp Microelectronics
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