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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
上升时间:20 us
输出设备:Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
绝缘电压:5000 Vrms
输入类型:DC
下降时间:10 us
包装形式:Reel
封装形式:PDIP-4
最小工作温度:- 30 C
最大工作温度:+ 100 C
最大功率耗散:200 mW
最大输入二极管电流:50 mA
最大反向二极管电压:6 V
最大正向二极管电压:1.4 V
电流传递比:400 %
RoHS:是
产品种类:高速光耦合器
制造商:Sharp Microelectronics
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