中文参数如下:
输出类型:DC
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最大上升时间:18 us
最大反向二极管电压:6 V
最大输入二极管电流:50 mA
最大下降时间:18 us
包装形式:Reel
封装形式:PDIP-4 Gull Wing
最小工作温度:- 30 C
最大工作温度:+ 100 C
最大功率耗散:200 mW
最大集电极电流:50 mA
最大正向二极管电压:1.4 V
电流传递比:400 %
绝缘电压:5000 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V
最大集电极/发射极电压:70 V
输入类型:DC
制造商:Sharp Microelectronics
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