PBSS8110X,135

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: UPAK
数量：: 5976
说明：: 两极晶体管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

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PBSS8110X,135 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：/T3 PBSS8110X
工厂包装数量：4000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：2000 mW
直流电流增益 hFE 最大值：150 at 1 mA at 10 V
封装形式：UPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：150 at 1 mA at 10 V, 150 at 250 mA at 10 V, 100 at 500 mA at 10 V, 80 at 1 A at 10 V
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
集电极—基极电压 VCBO：120 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：NXP

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