PBSS4140DPN,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TSOP
数量：: 4050
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40V 1A

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PBSS4140DPN,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PBSS4140DPN T/R
工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：370 mW
直流电流增益 hFE 最大值：300 at 500 mA at 5 V
封装形式：TSOP
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：300 at 500 mA at 5 V at NPN, 200 at 1 A at 5 V at NPN, 300 at 100 mA at 5 V at PNP, 250 at 500 mA at 5 V at PNP
增益带宽产品fT：150 MHz
最大直流电集电极电流：1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：40 V
晶体管极性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：NXP

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