PBSS303ND T/R

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TSOP
数量：: 7992
说明：: 两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

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PBSS303ND T/R PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PBSS303ND,115
工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：2500 mW
直流电流增益 hFE 最大值：345 at 0.5 A at 2 V
封装形式：TSOP
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：345 at 0.5 A at 2 V
增益带宽产品fT：140 MHz
最大直流电集电极电流：3 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：NXP

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