点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
波长:890 nm
槽宽:3.18 mm
感应方式:Transmissive, Slotted
上升时间:15 us
功率耗散:100 mW
输出设备:Phototransistor
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 125 C
正向电流:50 mA
下降时间:15 us
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
光圈宽度:1.27 mm
制造商:Optek
以上是OPB870T51TX的详细信息,包括OPB870T51TX厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!